MMDT4401_R1_00001 دیتاشیت

MMDT4401_R1_00001

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMDT4401_R1_00001
حجم فایل 71.509 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت MMDT4401_R1_00001

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: PANJIT International MMDT4401_R1_00001
  • Transistor Type: 2 NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 600mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@150mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 750mV@500mA,50mA
  • Package: SOT-363-6
  • Manufacturer: PANJIT International

محصولات مشابه